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英飞凌展出配备SiCJFET的功率模块等

来源:美文网 日期:2019-4-16 分类:玄幻小说

英飞凌展出配备SiC JFET的陕西癫痫病医院地址功率模块等

德国英飞凌科技在东京举行的展会“智能电网展2011&新一代汽车产业展2011”(举办期间:2011年6月15日~17日)上,展出了各种功率模块。比如,配备SiCJFET的产品和延长了功率循环寿命的产品等。   功率模块将耐压为1200V、导通电阻为100mΩ的SiCJFET配备于3枚芯片上。外形尺寸“约为2~3mm见方”(解说员)。每枚芯片的电流容量为10A。   由于SiCJFET常开工作,因此为实现常开化进行了多段连接。将用于多段连接的30V耐压p通道硅MOSFET配备于2枚芯片上。利用英飞凌名为“直接驱动”的方法,直接开关SiCJFET进行驱动。与开关多段连接的MOSFET进行控制的方法相比,可降低接通时的环状噪声。军海癫痫病专家挂号   英飞凌计划在2011年内分别上市利用SiCJFET的功率模块产品和采用TO220等封装的SiCJFET芯片。模块尺寸约为63mm×34mm×16mm(含端子等在内)。   功率循环寿命延至10倍   在会场上,英飞凌还展示了功率循环寿命延至原产品10倍的功率模块。采用了名为“.XT”的技术。通过改变功率半导体芯片的键合引线材料、以及改进芯片与DCB基板之间的接合技术,延长了功率循环寿命。   此次,英飞凌将键合引线的材料由铝改为铜。一般情况下,使用铜“除了材料费较高外,还存在容易氧化、很难做成锡球等技术方面的课题”(解说员)。该公司没有公布详情,不过称现已解决该课题,提高了产品治疗癫痫病医院哪家最强的可靠性。该公司表示,利用铜线的键合技术已用于其MOSFET等,此次就是以该技术为基础贵州治疗癫痫最好医院的。   另外,英飞凌为接合功率半导体芯片和DCB基板采用了名为“扩散焊接方式”的方法。由于与普通方法相比,焊锡层较薄并且热阻较小等,能提高产品的可靠性。   英飞凌在会场上展示了利用上述.XT技术的耐压1200V、电流900A的IGBT功率模块。